数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺(第三版)
作者： （美）David A.Hodges等
译者： 蒋安平 王新安 陈自力 
丛书名： 国外电子与通信教材系列 
 
出版日期：2005 年8月 

本书以半导体器件物理为基础，由浅入深逐步阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。本书的讨论主要基于0.18 mm和0.13 mm cmos工艺进行的，突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响。此外，书中还强调了spice模拟工具在电路设计中的应用。
　　本书反映了深亚微米数字集成电路的设计技术发展，内容丰富全面，是一本优秀的教材。既可作为高等院校微电子、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书，也可供从事相关领域工作的技术人员参考。 
　　本书是hodges和jackson的《数字集成电路分析与设计》的第三版．由新的合著者一一英国哥伦比亚大学的resve saleh教授进行了全面修订和更新。这一新版本保持了原著的简洁易用性,添加了全面更新的内容，使本书更适合于21世纪的教学。
　　本版集中讨论最新的cmos工艺(0．18μm,0．13μm)，并在全书中使用标准的深亚微米擭型。书中对有关存储器的内容进行了拓展和更新，包含了更多spice模拟的内容。此外。增加了很多反映当前工艺和设计实践的新习题和实例。