本书由美国加州大学伯克利分校Jan M. Rabaey教授撰后。全书共12章.分为三个部分：基本单元、电路 设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了数字设计的核心——反相 器.并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路 与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进人深亚微米领域后正在发生的深刻变化•第二版增加了许多新 的内容，并以0.25微米CMQS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优 化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验还、芯片测试和可测性设计等主题，着 重探讨广深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。 本书可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、计算机科学与技术、自 动化等伝业高年级本科生和研究生有关数字集成电路设计方面课程的教科书，也可作为从事这一领域的工程技 术人员的参考书。