2017年第1期（总第229期）
doi:10. 3969/j. issn. 1009 3230.2017. 01.002
应用能源技术
ZnO薄膜掺杂研究进展
党威武
（陕西国防工业职业技术学院机械工程学院，西安710300)
摘要：ZnO作为优良半导体材料，在光电、压电、压敏、气敏及光催化等领域应用广泛。随着ZnO薄膜制备方法研究的不断深入，研究人员开始探索如何获得低缺陷ZnO薄膜，以进一步拓展其应用。而高性能的P型ZnO是其开发应用关键所在，因此，P型掺杂引起了科研工作者极大的兴趣。文中就ZnO薄膜P型掺杂近些年的研究概况进行归纳总结，讨论p型掺杂的研究现状，包括分类及主要掺杂元素等，并分析其掺杂效果及原因，为高质量、高性能P型ZnO薄膜制备奠定研究基础。
关键词：ZnO；掺杂;P型；薄膜
中图分类号：TQ132.4
文献标志码：A
文章编号：1009-3230(2017)01000503
ResearchProgress onDoping of ZnOFilms
DANG Wei-wu
(College of Mechanics,Shaanxi Instituteof Technology,Xi'an,710300,China）
Abstract: ZnO is an excellent semiconductor material, which is widely used in the fields of photoelectric, piezoelectric, pressure sensitive, gas sensing and photocatalysis. With the continuous development of the preparation methods for ZnO film, how to obtain a low defect ZnO film becomes the focus of the researchers, which will benefit for the further application expansion. Considering the ptypeZno with high perfomance is the key for its future development and application, p type doping has aroused great interest in scientific researchers, In this paper, the development processesfor p type doping Zno have been summarized in recent years, the research statuses of p type dopingZnO, including the classification and main doping elements, are discussed, and the doping effect and the reasons are also analyzed. These can provide the study base for preparation of ptype
ZnO film of the high quality and high performance. Key words:Zno;Doping; Ptype; Film
引言 0
ZnO作为宽禁带化合物半导体材料，具有直接带隙能带结构，被广泛用作压敏电阻器、紫外发射器、表面声波器件、太阳电池、气体传感器及光催化剂等(1-4)，备受科研工作者的青。近些年来，ZnO薄膜的制备研究日趋深人，各种制备方法
收稿日期：2016-11-15
修订日期：2016-1210
基金项目：陕西国防工业职业技术学院2015年科研基金资
助项目(Gfy15-01)
作者筒介：党威武（1985-），男，讲师，硕士，从事纳米材料
制备与应用、机械制造与精密测量方向研究。
万方数据
5
层出不穷，像化学气相沉积法、溶胶凝胶法、热分解法、分子束外延法及磁控溅射等，这些方法制备出的ZnO薄膜不可避免的存在一些缺陷，这些缺陷严重制约了ZnO的应用推广，其主要表现形式是点缺陷和位错，点缺陷包括锌空位、氧空位、锌间隙原子、氧间隙原子、锌反替位氧、氧反替位锌等，位错包括螺型位错、刃型位错及二者混合型位错，不同制备方法得到的ZnO薄膜中所含位错的类型和所占比例均有所不同。
不难看出，要制备出高质量ZnO薄膜，可以