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工业进展)，2000，17(12)：43~45
综合评述
[3]HuangYongguang(黄永光).我国钛及钛合金标准现状思考[].World Standardization & Quality Managemenr(世界标准化与质量管理)，2004(6)：32~34
维普资讯http
Vol.27-No.42008
[4]HhangYongguang（黄永光).美国材料与试验协会的钛标准[J].RareMetalsLetters(稀有金属快报），2007，26(10)： 46~47
Development and Standardization of Titanium and Titanium Alloy Designations in China
Huang Yongguang
(BaoTi Ggroup Co., Lid., Baoji 721014, China)
Abstract: The paper reviewed the development and standardization process of Chinese titanium and titanium alloy designations, expatiated main changes of titanium designation and composition national standard in 21 century including development of designation and composition close to intermational standard, and compared with the designation of intermational titanium and titanium alloy, it is
suggested that the Chinese titanium designations shuld be improved in the futher. Keywords: titanium and titanium alloy: designation; composition; standardization
Biography: Huang Yongguang, Senior Engineer, Technology Department, BaoTi Group Co., Lid., Baoji 721014, P.R. China,
Tel: 00869173382289,Email: hyg57@163.com 专利信息（Ⅱ）
专利名称：一种制备氮化缘单晶衬底的方法
专利申请号：200610144316.3
公开号：CN1996556 专利申请人：北京大学
申请日：2006-12-01 公开日：2007-07-11
本发明提供-种制备GaN单晶衬底的方法，属于光电材料和器件领域。该方法包括：在蓝宝石等异质衬底上利用MOCVD或MBE等技术生长高质量GaN薄膜（厚度在10μm之内)作为后续生长的模板；在GaN模板上制备一柔性的弱键和层：采用常规的HVPE方法在GaN模板上快速生长GaN单晶厚膜。由于减少了GaN和衬底之间的应力效应，可以获得低位错密度的GaN外延层，防止厚膜产生裂纹，获得高质量GaN材料。当GaN单晶厚膜厚度为0.1mm以上时，在降温过程中使得GaN单晶厚膜能够从GaN模板上自动分离，获得GaN单晶厚膜。本发明利用一种弱连接的方式，提高晶体质量，使GaN单晶厚膜和异质衬底之间自动分离，直接获得GaN单晶衬底。
专利名称：各向异性稀土永磁材料及其磁粉和磁体的制造
方法
专利申请号：200610113209.4
公开号：CN1937110 专利申请人：北京大学
申请日：2006-09-19 公开日：2007-03-28
本发明提供了一种具有各向异性的稀土永磁材料，具有ThZn型品体结构，以原予百分比所表示的成分为(Sm-R),FemrMJ，式中：R是Pr或Pr与其它稀土元素的组合，0.01≤α≤0.30；M选自Si，Ti，V，Cr，Mn， Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Al，Zr;I是单独N或N与 C的组合；7≤x≤12，0.01≤y≤8.0，6≤z≤14.4。利用特定的技术制成平均粒度为1~3um且呈片状的单品颗粒磁粉，该磁粉不仅具有在外磁场作用下取向的磁晶各向异性，而且具有压延各向异性和应力各向异性。根据这3种各向异性提供了制备高性能各向异性压延柔性橡胶磁体的方法。
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