SJ/T 11765-2020
晶体管低频噪声参数测试方法
Measurement method of low-frequency noise parameters for transistors
2021-04-01实施
2020-12-09发布
前 言
电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括;《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于∶《晶体管低频噪声参数测试方法》、《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》。
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
1 范围
本标准规定了晶体管1Hz~300kHz频率范围内的噪声参数测试方法及要求。
本标准适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T4586 半导体器件 分立器件 第8 部分∶场效应品体管
GB/T4587 半导体分立器件和集成电路 第7部分∶双极型晶体管
SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求
3 术语和定义
GB/T4586、GB/T4587和 SJ/T11769界定的术语和定义适用于本文件。
4 测试条件及要求