您当前的位置:首页>行业标准>SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

资料类别:行业标准

文档格式:PDF电子版

文件大小:2.49 MB

资料语言:中文

更新时间:2021-04-20 10:50:10



相关搜索: 测量 二次 sj 质谱 方法 离子 测量方法 衬底 浓度 11493

内容简介

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
2015 -10- 01 实施
2015-04- 30 发布
前 言
本标准按照GB/T 1.1—2009制定的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。

 
上一章:SJ/T 11494-2015 硅单晶中IⅢI-V族杂质的光致发光测试方法 下一章:SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

相关文章

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 GB∕T 42263-2022 清晰版 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法 GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范