SJ 50033/172-2007
半导体分立器件3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices Detailspecification for type 3DA519 silicon microwave pulse power transistor
2008-01-24 发布
2008-02-01 实施
前 言
本规范是GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位∶中国电子科技集团公司第五十五研究所。