SJ 50033/176-2007
半导体分立器件3DA523型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA523 silicon microwave pulse power trans istor
2008-01-24发布
2008-02-01实施
1 范围
本规范规定了3DA523型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2 引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单（不包括物误的内容）或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分∶双极型晶体管
GB/T7581 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
3 要求
3.1 总则
器件应符合本规范和GJB 33A-1997规定的沂有要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范为准。
3.2 设计、结构和外形尺寸
3.2.1 引出端材料和镀涂层
发射极和集电极引出端材料为可伐合念带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。
3.2.2 器件结构
本器件是采用硅外延平面结构的NPN型品体管，具有阻抗匹配网络，用金属陶瓷外壳气密封装。