SJ 50033/172-2007
半导体分立器件3DA519 型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 3DA519 silicon microwave pulse power transistor
2008-01-24发布
2008-02-01实施
前 言
本规范是GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位∶中国电子科技集团公司第五十五研究所。
1 范围
本规范规定了3DA519型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母IP、IT和ICT表示。
2 引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分∶双极型晶体管
GB/T7581 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
3 要求
3.1 总则
器件应符合本规范和GJB33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范为准。