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JC/T 1048-2018 单晶硅生长用石英堆娲

资料类别:行业标准

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资料语言:中文

更新时间:2020-07-23 16:09:03



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内容简介

JC/T 1048-2018 单晶硅生长用石英堆娲 JC/T 1048-2018 代替JC/T 1048—2007
单晶硅生长用石英堆娲
Fused quartz crucibles for single crystal silicon growth
2019-04-01 实施
2018-10-22发布
前言
本标准按照GB/T1.1——2009给出的规则起草。
本标准代替JC/T1048—2007《单晶硅生长用石英埔娲》。与JC/T1048—2007相比,除编辑性修改外主要技术变化如下∶
——修改了尺寸偏差要求(见5.1,2007年版的6.1));
——增加了端口透明层厚度(见5.2);
——修改了外观质量要求(见5.3,2007年版的6.2);
——修改了T级石英堆场杂质含量要求(见5.4,2007年版的6.3.1);
——修改了耐热性要求(见5.6,2007年版的6.3.3);
——增加了直壁壁厚偏差、弯弧壁厚偏差、底部壁厚偏差和高度偏差试验方法(见6.1.2、6.1.3、6.1.4和6.1.5,2007年版的7.1);
——增加了端口透明层厚度试验方法(见6.2)。
本标准由中国建筑材料联合会提出。
本标准由全国工业玻璃和特种玻璃标准化技术委员会(SAC/TC447)归口。

 
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