ICS 49.040
CCS A 29

中华人民共和国国家标准
GB/T 43227—2023
宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜试验方法
Test methods for space vapour deposition protective film onsemiconductor wire
2023-09-07发布
2024-01-01实施
国家市场监督管理总局
发布国家标准化管理委员会
GB/T 43227—2023
宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜试验方法
1 范围
本文件规定了宇航用集成电路内引线采用气相沉积保护膜工艺后的气相沉积保护膜检验方法、电力学环境试验方法。
本文件适用于完成气相沉积保护膜的宇航用集成电路的试验。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
气相沉积保护膜 vapour deposition protective film
将集成电路放置于专用真空设备中，经高温将气相沉积材料裂解为游离基，然后在室温下向集成电路内部结构表面气相沉积聚合，形成的一层绝缘涂层。
4 环境条件
本文件所列各项试验方法，均应在以下环境条件下进行：
a) 温度：18℃～28 ℃;
b)相对湿度：30%～70%。
5 气相沉积保护膜检验方法
5.1 内部目检
5.1.1 目的
对采用气相沉积工艺封装的宇航用集成电路，应检查保护膜效果，以及保护膜、电路腔体内部是否存在损伤。
5.1.2 设备
试验中采用的设备应能证明器件是否符合相应要求，包括低放大倍数下可检查40倍～100倍，高放大倍数下可检查100倍～200倍的光学设备。
5.1.3 样品
完成气相沉积工艺的宇航用集成电路，均应进行内部目检。
5.1.4 程序
完成气相沉积工艺后，对每只电路进行40倍～100倍检验，当出现异常或者部分区域无法精确识别时，应在100倍～200倍下进行保护膜检验。
5.1.5 失效判据
内部检验存在以下情况的均判为失效：
a) 键合丝塌丝、倒丝或机械损伤；
b) 电路腔体内部有油污；
c) 保护膜材料存在针孔、起泡、褶皱、裂缝、分离、气泡等；
d) 陶瓷外壳的封口环表面镀金层存在保护膜材料；
e) 电路腔体内部存在未沉积保护膜的区域。
5.2 外部目检
5.2.1 目的
对采用气相沉积工艺封装的宇航用集成电路，应检查电路外观是否因气相沉积过程导致损伤或沾污。
5.2.2 设备
试验中采用的设备应能证明器件是否符合相应要求，包括至少能放大10倍的、具有较大可见视场的光学设备。
5.2.3 样品
完成气相沉积工艺的宇航用集成电路，均应进行外部目检。
5.2.4 程序
完成气相沉积工艺后，对每只电路进行不低于10倍放大倍数检验。
5.2.5 失效判据
电路外部区域存在保护膜材料。
5.3 保护膜厚度测量
5.3.1 目的
测量气相沉积保护膜厚度，验证能否达到设计厚度。
5.3.2 设备
5.3.2.1 试验条件A——陪片测量
设备要求如下：
a) 测量精度优于±0.1μm;
b) 带有可拟合表面状态曲线的软件系统；
c) 试验宜使用接触式表面形貌测量仪器。