GB/T 1551-2021代替GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon-In-line four-point probe and direct current two-point probe method
2021-05-21发布
2021-12-01实施
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
本文件代替GB/T1551-2009《硅单品电阻率测定方法》，与GB/T1551-2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了直排四探针法的适用范围（见第1章，2009年版的第1章）；
b）“范围”中增加了“硅单品其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”（见第1章）；
c）增加了规范性引用文件GB/T14264（见第2章）：
d）增加了“术语和定义”（见第3章）；
e）更改了测试环境温度的要求（见第4章，2009年版的第2章、第13章）；
f）更改了“干扰因素”中光照对测试结果的影响（见5.1.2009年版的3.1、14.1）；
8）增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素（见5.3）；
h）更改了“干扰因素”中温度对测试结果的影响（见5.4，2009年版的3.4、14.4）；
i）增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素（见5.5、5.6）；
j）增加了直排四探针法测试时样品发熟、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素[见5.7a）、5.7c）]；
k）增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯一对测试结果影响的干扰因素（见5.8）；
1）删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容（见2009年版的14.6）；
m）更改了直排四探针法的测试原理（见6.1，2009年版的第4章）；
n）增加了直排四探针法中“试剂和材料”（见6.2）；
o）更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求[见6.3.1a）.2009年版的5.1.1]：
p）更改了直排四探针法中标准电阻的要求[见6.3.2c）、2009年版的5.2.]；
g）更改了直排四探针法中散热器的要求（见6.3.4，2009年版的5.4）；
r）更改了直排四探针法中制样装置的要求（见6.3.5.2009年版的5.5）；
s）更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求（见6.3.6，2009年版的5.6）；
t）删除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验室器具的要求（见2009年版的5.13、5.14）；
u）更改了直排四探针法中样品表面处理的描述（见6.4.1，2009年版的6.1）；
v）增加了电阻率大于3000Ω·cm样品对应的推荐圆片样品测试电流值（见表2，2009年版的表
w）删除了不同电阻率样品对应的测试电流（见2009年版的表2）；
x）更改了直排四探针法中电学测试装置的要求（见6.5.1.6，2009年版的7.1.6）；
y）更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求（见6.5.2.1.2009年版的7.2.1）；
x）删除了直排四探针法测试中样品清洗、干燥的过程（见2009年版的7.3.1）；
aa）删除了直排四探针法测试中对于圆片试样的特殊要求（见2009年版的7.3.2、7.3.3）；
bb）删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求（见2009年版的7.3.4）；
cc）更改了直排四探针法测量组数的要求（见6.5.3.7.2009年版的7.3.8）；
dd）更改了直排四探针法测试精密度的内容（见6.7.2009年版的第9章）；
ce）更改了直排四探针法的测试原理（见7.1，2009年版的第15章）；
ff）剧除了直流两探针法“试剂”中的丙酮、乙醇（见2009年版的16.2、16.3）；
gg）更改了直流两探针法中欧姆接触材料和磨料的要求（见7.2.2，7.2.3.2009年版的16.4、16.5）；
hh）增加了直流两探针法中显微镜放大倍数的要求（见7.3.5）；
ii）刷除了直流两探针法中的化学实验室设备（见2009年版的17.7）；
j）剧除了直流两探针法“试样制备”中对晶体导电类型的要求（见2009年版中的18.1）；
kk）更改了直流两探针法在第二测量道上测试的条件（见7.4.2、7.5.3.10.2009年版的18.2、19.3.10）；
11）更改了直流两探针法中样品表面处理的描述（见7.4.3、7.4.4，2009年版的18.3、18.4）；
mm）更改了直流两探针法测试设备适用性检查中模拟电阻平均值R。的要求（见7.5.2.2，2009年版的19.2.2.3）；
nn）更改了直流两探针法测试精密度的内容（见7.7.2009年版的第21章）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）和全国半导体设备与材料标准
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。