GB/T 14146-2021代替GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers-Capacitance-voltage method
2021-05-21发布
2021-12-01实施
前言
本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T14146-2009《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法》，与
GB/T14146-2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下；
a）更改了本文件的范围，包括规定的内容和适用范围（见第1章，2009年版的第1章）：
b）删除了规范性引用文件中的GB/T1552，增加了GB/T1551、GB/T6624、GB/T14264（见第2章，2009年版的第2章）；
c）增加了术语和定义（见第3章）：
d）更改了试验条件的要求（见第4章，2009年版的6.2）；
e）删除了汞探针电容-电压法原理中的公式，更改了原理的表述（见5.1，2009年版的第3章）；
g）增加了样品制备、测试仪器操作、测试机台维护后的汞探针调试对测试结果影响的干扰因素（见5.2.1）；
g）更改了样品表面、汞、装汞毛细管对测试结果的影响（见5.2.2、5.2.3、5.2.4.2009年版的4.1）；
h）增加了确定补偿电容用标准祥片厚度对测试结果的影响（见5.2.7）；
i）增加了补偿电容归零调整或数值确定、电容测量电路串联电阻、校准仅器用质量监控片对测试结果的影响（见5.2.8，5.2.9、5.2.10）；
j）更改了“试剂”中去离子水、氮气的要求（见5.3.4、5.3.5，2009年版的5.3、5.5）：
k）增加了“试剂”中压缩空气的要求（见5.3.6）；
1）更改了电容仪的要求[见5.4.1c）.2009年版的6.1.2、6.1.3]；
m）更改了汞探针电容-电压测试仪器中数字伏特计的要求[见5.4.1d），2009年版的6.1.3]；
n）增加了甩干设备、烘干设备、密闭烘烤腔的要求（见5.4.2.5.4.3.5.4.4）；
o）增加了样品处理后表面目检应光亮洁净的要求（见5.5.1）.更改了样品的化学试剂处理步骤（见5.5.2，2009年版的7，1~7.4）.增加了采用非破坏性方法对样品进行钝化处理的步骤（见5.5.3）；
p）删除了“仪器校准”中低电阻电极的制备（见2009年版的8.4）.“试验步骤”中增加了对应内容（见5.7.2）：
4）增加了“试验数据处理”（见5.8）；
r）更改了“精密度”（见5.9）；
s）增加了无接触电容-电压法测试载流子浓度的方法（见第6章）；
1）更改了试验报告的内容（见第7章，2009年版的第11章）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。