GB/T 33922-2017
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法
Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances
2018-02-01 实施
2017-07-12 发布
目 次
前言 ………………………………………………………………………………………………………1
1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1
3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1
4 试验条件 ………………………………………………………………………………………………… 1
4.1 大气条件 ……………………………………………………………………………………………1
4.2 电磁条件 …………………………………………………………………………………………… 2
4.3 振动条件 …………………………………………………………………………………………… 2
4.4 测试系统 …………………………………………………………………………………………… 2
5 试验的一般规定 ………………………………………………………………………………………… 2
5.1 证书文件 …………………………………………………………………………………………… 2
5.2 预热时间 …………………………………………………………………………………………… 2
5.3 连接方式 …………………………………………………………………………………………… 2
6 试验内容和方法 ………………………………………………………………………………………… 2
6.1 试验准备 …………………………………………………………………………………………… 2
6.2 电阻 ………………………………………………………………………………………………… 2
6.3 常压输出 …………………………………………………………………………………………… 3
6.4 静态性能试验 ……………………………………………………………………………………… 4
6.5 温度性能试验 ……………………………………………………………………………………… 7
本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。