GB/T 34900-2017
微机电系统（MEMS）技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
Micro-electromechanical system technology— Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
2018-05-01 实施
2017-11-01发布
目次
前言 ………………………………………………………………………………………………………… 1
1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1
3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1
4 测量方法 ………………………………………………………………………………………………… 1
5 影响测量不确定度的主要因素 ………………………………………………………………………… 6
附录 A（资料性附录） 光学干涉显微镜的典型形式和主要技术特点 ………………………………… 7
附录B（规范性附录） 拟合表面轮廓线余弦函数和计算变形量 ……………………………………… 9
本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。