ICS _31.200 L 55
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T34900—2017
微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的 MEMS 微结构
残余应变测量方法
Micro-electromechanical systemtechnology-
Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures
using an optical interferometer
2018-05-01实施
2017-11-01发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T 34900—2017
目 次
前言
m
范围规范性引用文件
2
3术语和定义 4测量方法
影响测量不确定度的主要因素
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附录A（资料性附录）光学干涉显微镜的典型形式和主要技术特点附录B（规范性附录）拟合表面轮廊线余弦函数和计算变形量 GB/T 34900—2017
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336)提出并归口。 本标准主要起草单位：天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南
京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人：郭彤、胡晓东、李海斌、于振毅、裘安萍、程红兵、崔波、朱悦。
三 GB/T34900—2017
微机电系统（MEMS）技术基于光学于涉的MEMS微结构
残余应变测量方法
1范围
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学于涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁
?
结构。
规范性引用文件
2
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注甘期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T3505产品几何技术规范（GPS）表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数 GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 GB/T 26113 3微机电系统（MEMS）技术微几何量评定总则 GB/T34893—2017 7微机电系统（MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量
方法
3术语和定义
GB/T3505、GB/T26111和GB/T34893一2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
残余应变 residual strain 存在于材料、结构内部因塑性变形、不均匀温度分布、不均匀相变而形成的并保持平衡的内应变，
4测量方法
4.1, 总则
4.1.1 微双端固支梁由于工艺引入的残余应力，导致梁结构发生弯曲变形，通过弯曲变形的测量获取微双端固支梁内的残余应变，如图1所示。
1 GB/T34900—2017
双端固支梁
固定端
固定端
端面2
端面1
图1 微双端固支梁的三维形貌图
4.1.2光学显微干涉测量法是GB/T26113中规定的一种MEMS微结构几何量评定的方法。本标准利用光学干涉显微镜获得被测对象的三维表面形貌，从中提取相关的二维轮廓线，通过轮廓线弯曲变形程度的计算获取残余应变， 4.1.3对于提取的二维轮廓线与微双端固支梁固定端端面垂线存在夹角引人的测量误差，可通过选取多组平行的轮廓线进行计算给予修正。 4.1.4提取二维轮廓线时应避开有明显缺陷的区域。
4.2 测量环境
测量环境为：
环境温度：15℃～35℃；相对湿度：20%~80%；大气压力：86kPa～106kPa。
4.3 测量设备 4.3.1 测量设备要求
测量设备为能够测量微结构表面形貌的光学干涉显微镜（光学干涉显微镜的典型形式和主要技术
特点参见附录A），要求离面方向测量分辨力不低于1nm，且离面测量范围要大于被测微结构的最大高度差，通常不低于100μm。 4.3.2测量设备校准
测量设备校准时应对每一种显微物镜的成像放大因子和轴校正因子进行标定成像放大因子的标定，使用栅线样板（通常栅线间距为10um），轴和y轴的成像放大因子需分别
进行标定，成像放大因子按照式（1）进行计算：
K;=g/(pn)
( 1)
式中： K; 成像放大因子，i为x或y； q
栅线间距，单位为微米（μm）；
2