GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法_标准规范免费下载_多蛋网

国家标准行业标准地方标准团体标准

您当前的位置：首页>行业标准>GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

资料类别：行业标准

文档格式：PDF电子版

文件大小：177.51 KB

资料语言：中文

更新时间：2024-08-30 13:57:31

相关搜索: 检测方法晶片测试 26066

内容简介

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

上一章：GB 4943.1-2011 信息技术设备安全第1部分：通用要求下一章：GB 31339-2014 铝及铝合金线坯及线材单位产品能源消耗限额

相关文章

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法 GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法 GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

热门推荐

下载排行