GB/T 1550-2018 代替GB/T1550—1997
非本征半导体材料导电类型测试方法
Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials
2019-11-01实施
2018-12-28发布
本标准按照GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T1550—1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》，与GB/T1550—1997相比主要技术变化如下∶
——适用范围修改为"本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试"（见第1章，1997年版的第1章）;
——增加了术语和定义（见第3章）;
——将原标准的1.2～1.9修改为"4.1总则"（见4.1.1997年版的1.2～1.9）;
——修改了方法A、方法D、方法D2的适用范围（见4.1.2、4.1.5、4.1.6，1997年版的1.3、1.6、1.7）;
——增加了方法 E（表面光电压法）测试导电类型（见4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5）;
——增加了"如果采用9.1～9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，则表明试样表面无沾污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采用8.2中的方法对试样表面进行处理。"（见9.6）;——增加了试验结果的分析（见第10 章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口。