ICS 71.040.40 CCS G 04
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T40110—2021/ISO14706:2014
表面化学分析
全反射X射线荧光光谱法（TXRF）
测定硅片表面元素污染
Surface chemical analysis-Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection
X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
(ISO14706:2014,IDT)
2021-05-21发布
2021-12-01实施
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布 GB/T40110—2021/ISO14706:2014
目 次
前言引言
范围规范性引用文件术语和定义
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3
4 缩略语 5 原理 6 仪器设备 7 试样制备及其测量环境 9
校准参考物质安全性
9
10 测量程序 11 结果表达 12 精密度 13 测试报告附录A（资料性） 参考物质附录B（资料性） 相对灵敏度因子附录C（资料性) 参考物质制备附录D(资料性) VPD-TXRF法附录E（资料性） 掠射角设置附录F（资料性） 国际实验室间试验结果参考文献
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14 17 20 GB/T40110—2021/IS014706:2014
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件等同采用ISO14706：2014《表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法（TXRF）测定硅片表面元素污染》。
与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：
GB/T25915.1—2010 ）洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级（ISO14644-1： 1999,IDT)
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任本文件由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC38)提出并归口。 本文件起草单位：中国计量科学研究院、华南理工大学。 本文件主要起草人：王海、张艾蕊、王梅玲、任丹华、徐昕荣、范燕，
II GB/T 40110—2021/IS0 14706:2014
引言
本文件是为了测量硅片表面元素污染的需要而制定的，它是在ASTMF1526、SEMIM33和基础半导体技术发展研究所（InstituteofBasicSemiconductorTechnologyDevelopment）发布的一个UCS （Ultra-CleanSociety，超洁净学会）标准化文件的基础上制定而成的。
TXRF需要利用参考物质来做定量分析。原子表面密度低于1o1°atoms/cm的有证参考物质难以获得。即使能够获得，从环境引人的污染也可能会缩短这些参考物质的有效期。
出于校准目的，相关分析实验室都将需要制备和分析TXRF参考物质。因此，需要分别制定 TXRF测量程序和参考物质制备两个标准化文件。本文件为前者，即关于TXRF测量程序的标准化文件。
IV