您当前的位置:首页>行业标准>SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

资料类别:行业标准

文档格式:PDF电子版

文件大小:987.95 KB

资料语言:中文

更新时间:2024-05-18 17:12:41



相关搜索: 金属 半导体 电容 晶体管 电压 方法 氧化物 测试 效应 变化率

内容简介

SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
上一章:SJ/T 2863-2022 电子设备用固定电阻器详细规范 RXG6 型线绕功率型固定电阻器 评定水平 E 下一章:SJ/T 11826-2022 管道液体静电电荷密度在线检测方法

相关文章

SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计 SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 SJ/T 10805-2018 半导体集成电路 电压比较器测试方法 SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 JB/T 6307.5-1994电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥 SJ/T 11820-2022 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法