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JC/T 2687-2022 掺铒钇钪镓石榴石激光晶体元件

资料类别:行业标准

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资料语言:中文

更新时间:2024-01-02 15:28:46



推荐标签: 晶体 激光 jc 元件 石榴石 2687 元件 2687

内容简介

JC/T 2687-2022 掺铒钇钪镓石榴石激光晶体元件 ICS 17.180.99 CCS Q 65
JC
中华人民共和国建材行业标准
JC/T 2687—2022
掺钼镓石榴石激光晶体元件
Erbium doped yttrium scandium gallium garnet laser crystal devices
2023-04-01实施
2022-09-30发布
中华人民共和国工业和信息化部 发布 中 华 人民 共和 国建材行业标准
掺饵钇镓石榴石激光晶体元件
JC/T2687—2022
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中国建材工业出版社出版建筑材料T业技术监督研究中心
(原国家建筑材料T.业局标准化研究所)发行新华书店北京发行所发行各地新华书店经售
北京市青云兴业印刷有限公司
版权所有不得翻印
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开本880mmx1230mm 1/16 5印张1字数28千字 2023年2月第一版 2023年2月第一次印刷
印数:1—800册定价:27.00元
书号:155160·3522
% 编号:1639
网址:www.standardenjc.com 电话:(010)51164708 地址:北京朝阳区管庄东里建材大院北楼 邮编:100024
本标准如出现印装质量问题,由发行部负责调换 JC/T2687—2022
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任,本文件由中国建筑材料联合会提出。 本文件由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口。 本文件起草单位:中国科学院合肥物质科学研究院、中国电子科技集团第十一研究所、深圳镭科激
光精密有限公司、西安天健华峰激光医疗设备有限公司。
本文件主要起草人:孙敦陆、张会丽、罗建乔、苑利刚、陈国、方忠庆、赵绪尧、权聪、胡伦珍、 韩志远、董昆鹏、程毛杰、陈家康、关鹏、殷绍唐。
本文件为首次发布。
- JC/T2687—2022
掺钼石榴石激光晶体元件
1范围
本文件规定了掺钼钇镓石榴石激光晶体元件的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本文件适用于中红外波段用掺饵钇镓石榴石激光晶体元件。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T11293 固体激光材料名词术语 GB/T11297.12017激光棒波前畸变的测量方法 GB/T16601.2一2017激光器和激光相关设备激光损伤阅值测试方法第2部分:阅值确定 GB/T22452 硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件 GB/T22453一2008硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 GB/T27661 激光棒单程损耗系数的测量方法 GB/T29420—2012掺钕钒酸盐激光单晶元件 GB/T30902—2014 无机化工产品杂质元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES) GB/T351182017 掺饵钇铝石榴石激光晶体光学性能测量方法 JC/T2512—2019 全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾单晶元件技术要求
3术语和定义
GB/T11293和GB/T22452界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3. 1
掺钼钇镓石榴石激光晶体erbiumdopedyttriumscandiumgalliumgarnetlasercrystal 包含掺饵和铬敏化的掺饵钇镓石榴石激光晶体,化学式分别为Er3xY3-3xSc2Ga;O12(简称Er:YSGG)
和Cr2yEr3xY3-3xSc2-2vGa;O12(简称Cr,Er:YSGG)。
其中x表示掺饵激活离子的原子百分比(at.%),y表示掺铬敏化离子的原子百分比(at.%)。
3. 2
掺质浓度dopantconcentration 材料中掺质元素的含量,常以原子百分比at.%或重量百分比wt.%表示。 [来源:GB/T11293—1989,12]
3. 3
掺铬浓度dopantconcentrationofchromiumions 掺铬浓度为Cr,Er:YSGG晶体中铬离子与铬离子总含量的原子百分比。 JC/T2687—2022
3. 4
掺浓度dopantconcenctrationoferbiumions 掺饵浓度为Er:YSGG或Cr,Er:YSGG晶体中饵离子与钼离子总含量的原子百分比
3. 5
散射scattering 由于光学介质内部含有包裹体、气泡或微小杂质颗粒,使入射光被散射变粗或出现发散光。
3. 6
公差tolerance 产品规格范围内允许偏差的绝对值。 [来源:GB/T39131—2020,6.27]
3.7
角度偏差angletolerance 单晶元件的角度偏差(A6,AΦ)是实际切割角与设计切割角之间的偏差。 [来源:GB/T22452—2008,3.4]
3.8
平行度 parallelism 晶体两个平面展开相交所形成锐角的度数为这两个晶面的平行度。 [来源:GB/T39131—2020,6.26]
3. 9
平面度 flatness 晶体平面与理想平面的变动量。 [来源:GB/T39131--2020,6.24]
3.10
垂直度 perpendicularity 单晶元件通光面与侧面之间的垂直程度。 [来源:GB/T22452—2008,3.3]
3.11
表面症病 surfaceimperfections 晶体表面呈现的麻点、划伤、崩边等瑕疵。 [来源:GB/T39131—2020,6.22]
3.12
粗糙度 roughness 在空间波长(或频率)限定的范围内,间距更小的表面织构的分量。 [来源GB/T39131—2020,6.25]
3.13
倒角edgerounding 晶片或晶块边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度,以消除晶片或晶片边缘尖锐状态,避免在后
续加工或使用中造成边缘损伤。
[来源:GB/T39131—2020,6.16] 3.14
崩边chip 晶片或晶块边缘非有意地造成脱落材料的区域。 [来源:GB/T39131—2020,6.22.3]
2
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