内容：
在上册我们曾研究了对低频信号进行放大、频率变换的物理过程及其单元电路的工作原理、分析调试方法，下册我们将研究高频信号的产生、放大和频率变换的物理过程及其单元电路的工作原理、分析调试方法。在无线电技术基础课中曾经学过，当交变电流通过直导体时，在其周围将会产生交变的电磁场，交变电磁场的强度反比于该点与导体的距离而正比于导体中电流的强度和频率。这就是电磁辐射现象，即以导体为中心，电磁波向四面八方辐射，辐射能力随频率的升高而加强。在频率很低时这种辐射现象可以忽略不计，但当频率很高时这种辐射现象不可不计，甚至变为主要的传输手段。对于频率为300kHz以下的信号（在无线电技术中我们称为低频信号），辐射现象在一定条件下可忽略不计，电路的分布参数对信号的传输影响不大，这是在上册我们研究的对象。对于频率在300kHz以上的信号，电磁波的辐射能力已达到一定的强度、电路中的分布参数对信号的传输影响很大、有时甚至成为电路的唯一参数，而不再接入集中参数元件。本册我们就将研究这种高频信号。信号特性的差异使高频电路的组成及其分析方法与低频时有很大的不同。受分布参数的影响，高频放大器的负载要用IC并联谐振回路或以分布参数为基础的传输线变压器，对多级放大器则采用集中滤波（调谐）、集中放大的形式以提高放大器的性能。由于工作在高频状态下，晶体管内部的高频效应及外电路分布参数作用将突出，在低频线路中所用的低频H参数等效电路法已不适用，原来认为是常数的z、β值及电压、电流、功率的增益都将随工作频率而变。这就要求我们必须找到一种适合新情况的分析方法。