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面向Flash存储的页面置换算法综述

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更新时间:2024-12-20 16:35:52



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内容简介

面向Flash存储的页面置换算法综述 教事执本与变用
面向Flash存储的页面置换算法综述
李蔚
(河南机电职业学院河南郑州450000)
算法分析
摘要:随着时代的步,境代计算机技术电得到了飞速的发展。Flash存储容量相比之前有了很大的增加,而且还具有很多磁盘没有的优点因此Flah存储的应用前景非常广。但是Flah存储的页面置换算法电要进行相应的更新,才能适应Flash的发展趋势。本文主要分析Flash存储页面置模算法的两类算法,即普通性页面置换算法和专门性页面置换算法,探讨其各自的应用原理。
关键调:Flash存储页面置换算法中图分类号:TP368.11
文献标识码:A
文章编号:1007-9416(2012)12-0103-01
页面置换算法,是指计算机通讯网络在地址映射时,通常会到需要访问的页面不在内存中,出现缺页中断的情况,一且出现这种情况,计算机的操作系统就要在内存中再另外选择一个页面,将其移出内存,从而留出空闻给将要调进来的页面。页面置换算法就
是选择将哪一个页面移出内存的过程。 1、Flash存储
在Flash存储诞生之前,计算机的存储主要采用的是磁盘存储的方法。磁盘存储功能较小,弊端多,不能满足快速的经济发展要求。而Flash存储相比于磁盘存储,其功耗较小,可靠性高,面且无寻到延退,可以快速随机读写访问,有良好的抗囊性能,因此,逐新取代磁盘存储,成为未来计算机存储革命的核心技术。
目前,Flash存储主要有两种存储类型,即NANA类型和NOR 类型。其中,NOR类型的作用是存储计算机代码,可以支持Flash存储上的每一位数据的随机访间。而NANA类型是目前大部分固态磁盘所采用的Flash存储类型,其目的是对较高密度的数据进行存储,区单元级别访问使其主要的读、写访间形式,NANAFlash存储也可以分为两种。一种是MLCFlash存储,其特点是存储容量大,操作时延长,运作成本高。另一种是SLCFlash存储,操作时延较短,成本也比较低,但是存错容量也小
由于之前一直是使用磁盘存储,因此传统的页面置换算法也是根据磁盘的存储系统来设计的,不能适应Flash存储系统的应用。为此,需要针对Flash存储系统,设计和优化专门的页面置换算法。 2、Flash存储普适性页面置换算法
所谓普适性的页面置换算法,就是只考虑Fash存储三种基本操作方式(读,写、擦除)开销不对称的问题。
2.1CFLRU系列算法
CFLRU,即clean first LRU,是Park S,Y等人针对Flash存储而专门研究出来的一种新页面置换算法。它和传统的LRU算法有相同点,页面数据在LUR链表中存储,但不同的是,在这个存储过程中,CFLRU把LRU链表分成了两个工作区域一一干净优先区(CF区域)和工作区域。工作区域主要存储的是最近使用的页面,面 CF区域是完成页面置换的区域,页面的数目、窗口的大小决定了该区域的大小,主要存储的是干净页面,具有的缓冲数据大。
简单而言,CFLRU算法就是在CF区域选定一个干净的页面进行页面置换,面工作区的干净页面有不会受到干扰,从而保证缓冲效率,提高计算机系统的运行速度。但是,CFLRU算法也有弊端,就是干净优先区的窗口是预先设定大小的,如果不确定应用,就不能动态确定窗口大小,因此,应用不同的话,CFLRU算法不能保证把所有的I/O性能都提高。另外,CFLRU算法只涉及了数据的新近性,但数据页面的访问频率却被忽略了,因此,一些访间频率比较高的页面有可能被替换,从而影响后续的访问。
2.2 LRU-WSR算法
LRU-WSR算法,是一种二次选择算法和CFLRU算法综合面成的冷检测算法。通过二次算法,置换时并不会移除新近访问的脏
页,因此有效解决的CFLRU算法没有考虑访问频率的问题,对后续访问不会产生任何影响。为了防止常用范围页面被替换,LRU WSR算法会在缓冲链表中对这些页面进行冷标志。在选择页面进行置换时,如果该页面是干净的页面,则不用查看是否有冷标志,可以直接置换,如果选择页面时脏页面,则系统会先主动查看该页面是否有冷标志。若有,那该页面就会被直接替换掉,若没有,该页面会被移到MRU位置上,标上冷标志,然后再从LRU链表上选择一个候选页面就,继续循环的判断。
LRU-WSR算法对窗口的大小没有明确的规定,也不会只用干净页面来置换脏页。因此,它比CFLRU算法的缓冲命中率更高,而且对页面的访问频率也顾及到了,Flash存储的整个存储作用得到了很大的提高。但是,LRU-WSR算法的置换粒度范围比较小,对冷脏页没有进行置换开销,不能快速置换,从面影响了LRU-WSR 算法的置换效果。
3、专门性页面置换算法
专门性页面置换算法除了有普适性页面置换算法一般的功用之外,它还考虑到了当前计算机的应用环境,是专门针对Flash存储特定信息的页面置换算法,对Flash存储性能的提高有巨大的作用。
3.1 CRAW-C算法
CRAW一C算法把Flash存储内存分为三个区域:读区域,写区
域和压缩读区域。然后再按照具体的页面访问需要,调整或改变三种操作开销,按照访间量来确定初始区域的大小,然后建立ghost 队列,替换下来的页面数据就会在这里被保存,从而完成估计访间模式。如果缓冲区域内已经没有闲置的页面,那可以对比当前区域与理想区域的大小,选择区别最大的来替换。
3.2FAB算法
普适性页面置换算法的置换对象是单个页面,而FAB算法的置换对象是整个擦写板块,把同一擦写块中的缓冲页分为一组,然后再采用LRU链表形式组织这些分组。在Flash存储在进行读、写访问时,被选中的页面就会从LRU链表转移到MRU,然后把脏页内容写在存储中,请求的数据就会填写到新的页面中,达到页面置换的目的。
4、结语
总而言之,随着计算机技术和网络通讯技术的进步,Flash存储将会替代传统的磁盘存储,成为未来计算机存储的核心。面页面置换算法也需要进行相应的改革,跟上Flash存储技术的发展脚步,这
样才能全面地促进计算机存储技术的发展,参考文献
[1]郑文静,李明强,舒继式.Flash存储技术[J].计算机研究与发展. 2010,47(4).
[2]杨修国.关于嵌入式系统中的F1aSh存储管理的综述[J].科学视野.2008(7)
[3]未浩,戴华东,颤跃进.面向Flash存储的页面置换算法综述[J].计算机研究与发展.2011.48(增刊)。
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