SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
2015 -10-01实施
2015 -04 -30 发布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）归口。
本标准起草单位;中国电子科技集团公司第四士六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院。