ICS 29.045 CCS H 82
中华人民共和国国家标准
GB/T 41325——2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
2022-10-01实施2022-03-09发布
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T 41325—2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
1 范围
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100 Q·cm的Low-COP抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 12962 硅单晶
GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 29504 300 mm 硅单晶
GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法GB/T 29508 300 mm 硅单晶切割片和磨削片
GB/T 32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法GB/T 39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法SEMI M43 晶片纳米形貌报告指南（Guide for reporting wafer nanoyopgraphy）
SEMI M67 晶片近边缘几何形态的评价 ESFQR、ESFQD、ESBIR 法（Test method for determining wafer near-edge geometry from a measured thickness data array using the ESFQR,ES-FQD,and ESBIR metrics)
SEMI M68 晶片近边缘几何形态的评价 高度径向二阶导数法（Test method for determing wafer near-edge geometry from a measured height data array using a curvature metric.ZDD)
SEMI M70 晶片近边缘几何形态的评价 局部平整度法（Test method for determining wafer-near-edge geometry using partial wafer site flatness)
GB/T 41325—2022
SEMI M77 晶片近边缘几何形态的评价 边缘卷曲法（Test method for determining wafer near-edge geometry using roll-off amount,ROa)
3 术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
局部光散射体 localized light-scatterer；LLS
晶片表面上的颗粒或蚀坑导致相对晶片表面光散射强度增加的一种孤立的特性。注1：局部光散射体有时被称为光点缺陷，早期也被称为亮点缺陷。
注2：当局部光散射体的尺寸足够大时，在高强度光照射下呈现为可目视观察到光点，但这种观察是定性的。注3：用现代自动检测技术（如激光散射作用）观测局部光散射体，在能够区分不同散射强度的散射物的意义上，自
动检测技术是定量的。
注4：局部光散射体的存在也未必降低晶片的实用性。3.2
晶体原生凹坑 crystal originated pit；COP 在晶体生长中引入的一个凹坑或一些凹坑。
注：当它们与硅片表面相交时，类似LLS，在使用扫描表面检查系统观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类
似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒（crystal originated particulate），现代的扫描表面检查系统一般能够从颗粒中区分出品体原生凹坑，当晶体原生凹坑存在时，表面清洗或亮腐蚀可能会增大其被观察的尺寸和数量。
4 技术要求4.1 物理性能
4.1.1 Low-COP抛光片的导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合GB/T12962或GB/T29504的规定。
4.1.2 Low-COP抛光片的直径及允许偏差、表面取向、切口尺寸或参考面尺寸应符合GB/T12965或GB/T29508的规定。4.2 几何参数
Low-COP抛光片的几何参数应符合表1的规定。
表1 几何参数单位为微米