GB/T 12964-2018 代替GB/T 12964—2003
硅单晶抛光片
Monocrystalline silicon polished wafers
2019-06-01实施
2018-09-17发布
前言
本标准按照GB/T 1.1——2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T12964—2003《硅单晶抛光片》，与GB/T 12964—2003相比，除编辑性修改外主要技术变化如下∶
—修订了适用范围，将"本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光片"改为"本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底"（见第1章，2003年版的第1章）。
—修订了规范性引用文件，删除了GB/T 1552、GB/T 1554、GB/T 1555、GB/T 1558、GB/T13387、GB/T 13388、GB/T 14140、GB/T 14143，增加了GB/T 12965、GB/T 19921、GB/T24578、GB/T29507GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679（见第2章，2003年版的第2章）。
—删除了原标准中的具体术语内容，改为"GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件"（见
第3章，2003年版的第3章）。
—修订了硅抛光片的分类。删除了"按硅单晶生长方法分为直拉（CZ）和悬浮区熔（FZ）"，增加了"按表面取向分为常用的{100}、{110}、{111}三种"（见4.2.2，2003年版的4.1）。
一增加了"硅抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度（主参考面直径）、切口尺寸、参考面位置和切口位置应符合GB/T12965的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果"（见5.1）。
一删除了表1中主、副参考面长度、切口、主参考面直径的要求，修订了直径允许偏差、厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度的要求，增加了弯曲度的要求，增加了直径不小于125mm 硅抛光片的局部平整度的要求（见表1，2003年版的表1）。
—将晶体完整性的要求列在5.1，由供方提供检验结果（见5.1，2003年版的5.3）。
—修订了氧化诱生缺陷的要求，改为"硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/cm²，或由供需双方协商确定"（见5.4，2003年版的5.3.2）。
—删除了原标准的表面取向、基准标记的内容（见2003年版的5.4、5.5）。
—增加了150 mm、200 mm 直径硅抛光片的表面金属和体金属（铁）含量的要求（见5.5、5.6）。—修订了边缘轮廓的要求，由"硅抛光片须经边缘倒角，倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26的规定，特殊要求可由供需双方协商确定"改为"硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合GB/T12965的规定，且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物，特殊要求可由供需双方协商确定"（见5.7，2003年版的5.7）。
一将表面质量要求中的"亮点"改为"局部光散射体（颗粒）"，并修订了局部光散射体（颗粒）的要求（见表2，2003年版的表 4）。
—修订了检验项目，改为"每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量（除局部光散射体外）进行检验。导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、体金属（铁）、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）是否检验由供需双方协商确定"（见7.3.1,7.3.2)。
GB/T12964—2018
——增加了订货单（或合同）内容（见第9章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC 2）共同提出并归口。