GB/T 249-2017
半导体分立器件型号命名方法
The rleof tpe designtion for diserete semionductor devics
2017-05-12 发布 
2017-12-01 实施
前 言
本标准按照 GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T249-1989《半导体分立器件型号命名方法》，与GB/T 249-1989 相比主要技术变化如下;
——混频管和检波管分别命名（见 3.1，1989 年版的 3.1）;二极管第二部分增加了符号E，代表化合物或合金材料（见 3.1）;
——增加了噪声管和限幅管的命名（见 3.1）;
——增加了晶体管阵列的命名（见 3.2）;
——"ZL"由代表整流管阵列改为代表二极管阵列（见 3.2，1989年版的3.2）;
​​​​​​​——增加了 肖特基二极管的命名（见 3.2）;
——增加了触发二极管的命名（见 3.2），
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口.