GB/T 13062-2018/IEC 60748-21-1:1997 代替GB/T 13062—1991
半导体器件集成电路第21-1部分∶膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）
Semiconductor devices—Integrated circuits— Part 21-1:Blank detail specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits on the basis of the qualification approval procedures (IEC 60748-21-1:1997,IDT)
2019-07-01实施
2018-12-28发布
前  言
《半导体器件 集成电路》已经或计划发布以下部分∶
—GB/T16464—1996 半导体器件 集成电路 第1部分∶总则（idt IEC 60748-1∶1984）;
——GB/T17574—1998 半导体器件 集成电路 第2部分∶数字集成电路（idt IEC 60748-2∶1985);
——GB/T17940—2000 半导体器件 集成电路 第3部分∶模拟集成电路（idt IEC60748-3∶
1986);
——GB/T18500.1—2001 半导体器件 集成电路 第4部分∶接口集成电路 第一篇∶线性数字/模拟转换器（DAC）空白详细规范（idt IEC60748-4-1∶1993）;
——GB/T18500.2—2001 半导体器件 集成电路 第4部分∶接口集成电路 第二篇∶线性模拟/数字转换器（ADC）空白详细规范（idt IEC60748-4-2∶1993）;
——GB/T20515—2006 半导体器件 集成电路 第5部分∶半定制集成电路（idt IEC60748-5）;
——GB/T12750—2006 半导体器件 集成电路 第11部分∶半导体集成电路分规范（不包括混合电路）（idt IEC 60748-11∶1990）;
——GB/T8976—1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范（idt IEC60748-20∶1988）;
——GB/T11498—2018 半导体器件 集成电路 第21部分∶膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）（IEC60748-21∶1997，IDT）;
——GB/T13062—2018 半导体器件 集成电路 第21-1部分∶膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）（IEC60748-21-1∶1997，IDT）;
——GB/T16465-1996 膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用能力批准程序）（idt IEC 60748-22);
——GB/T16466—1996 膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用能力批准程序）（idt IEC60748-22-1)。
本部分为《半导体器件 集成电路》的第 21-1部分。
本部分按照GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本部分代替GB/T 13062—1991《膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）》，与GB/T 13062—1991相比，主要技术变化如下∶
——修改了鉴定检验程序，由一个程序扩展为程序A和程序B两个程序（见表4、表5.1991年版的表2、表3）;
——删除了"有关文件"的规定（见1991年版的第3章）;一增加了"封盖前目检"和"电耐久性"两个试验项目（见表2）;
——增加了"4.5.10可焊性"试验（见表3b）。
本部分采用翻译法等同采用IEC60748-21-1∶1997《半导体器件 集成电路 第21-1部分∶膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）》。
与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下∶
——GB/T8976—1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范（idt IEC60748-20∶1988）;
——GB/T11498—2018 半导体器件 集成电路 第21部分∶膜集成电路和混合膜集成电路分
规范（采用鉴定批准程序）（IEC 60748-21∶1997.IDT）。
本部分做了下列编辑性修改∶
GB/T 13062—2018/IEC60748-21-1:1997
——表3b中易燃性试验"D/ND"栏增加脚注，建议该试验宜规定为破坏性试验（见表3b）;
——IEC60748-21-1∶1997表4b中B8分组"4.4.14电耐久性"，有误，改为"4.5.14电耐久性"（见
表 4b）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口。