GB/T 25076-2018 代替 GB/T 25076—2010
太阳能电池用硅单晶
Monocrystalline silicon for solar cell
2019-06-01实施
2018-09-17发布
前  言
本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T25076—2010《太阳电池用硅单晶》，与GB/T25076—2010相比主要技术变化如下∶——将标准名称《太阳电池用硅单晶》修改为《太阳能电池用硅单晶》;
——修改了适用范围，将"适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶"改为"适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶。产品用于切割成硅片后进一步制作地面太阳能电池""（见第1章，2010年版的第1 章）;
——增加了引用文件GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651及YS/T28、YS/T679，删除了GB/T1552、GB/T1553、SEMI MF1535（见第2章）;
——增加了牌号的规定（见 4.1）;
——将2010年版中第4章技术分类中的4.1分类和4.2规格单独列为一章，即增加了"第4章牌号及分类";将按外形分类由原来的圆形和准方形（2010年版的4.1）改为准方形和方形;删除了圆形硅单晶规格，
——增加了方形硅单晶的规格（见4.1、4.2）;
——删除了圆形硅单晶的尺寸要求（见2010年版的4.3.1），
——修改了准方形硅单晶的端面尺寸要求（见图1和表1，2010年版的图1和表2），
——增加了方形硅单晶的端面尺寸要求（见图2和表2）;
——将垂直度单列为一条，并增加了"准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于1mm"的要求（见5.1.3）;
——电阻率范围下限由0.5Ω·cm改为P型0.2Ω·cm、N型0.1Ω·cm（见表3，2010年版的表3）;
——修改了硅单晶的间隙氧含量要求，由小于1.3×10"atoms/cm³改为P型应不大于1.1×10" atoms/cm³，N型应不大于1.0×10" atoms/cm³，或由供需双方协商确定（见5.4，2010年版的4.6);
——修改了硅单晶的代位碳含量要求，由不大于1.0×10"atoms/cm³改为P型应不大于1.0×10"atoms/cm³，N型应不大5.0×10"atoms/cm³，或由供需双方协商确定（见5.5，2010年版的4.7）;晶体完整性中增加了无滑移位错的要求（见5.6）;
——增加了硅单晶的体金属含量的要求（见5.7）;
——增加了表面质量的要求（见5.8）;
——增加了体金属和表面质量的试验方法、检验项目及检验结果判定的内容（见6.10、6.11、7.3、7.4、7.5.3);
——将取样和抽样合并改为表格的形式（见表4，2010年版的6.4和6.5）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口。