GB/T 5238-2019 代替 GB/T 5238—2009
错单晶和错单晶片
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
2019-06-04 发布
2020-05-01 实施
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 5238-2009（（错单晶和错单晶片》。与GB/T 5238-2009相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：
——修订了标准适用范围，将“外延衬底''改为“红外光学部件”（见第1章,2009年版的第1章）；
——规范性引用文件中删除了 GB/T 1552、GB/T 5254,增加了 GB/T 1555. GB/T 14264、GB/T 14844.GB/T 26074（见第 2 章,2009 年版的第 2 章）；
——增加了术语和定义（见第3章）；
——修订了牌号表示方法（见4.1,2009年版的3.2）；
——增加了非掺杂错单晶的要求（见第4章）；
——断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化，并修订了其要求（见4.2.3,2009年版的3.3.1.1）;
——修订了电阻率小于1.0 Q・cm错单晶的少数载流子寿命要求（见4.2.4,2009年版的3.3.1.2）,
——修订了错单晶晶体完整性的要求（见4.2.6.1,2009年版的3.3.1.4）；
——修订了直径10 mm〜100 mm错单晶的直径相对允许偏差的要求（见4.2.7,2009年版的3.3.2.D；
——增加了直径大于100 mm错单晶的要求（见4.2.7）；
——删除了长度的要求（见2009年版的3.3.2.1〉；
——增加了错单晶表面质量的要求（见4.2.8）；
——修订了错单晶片几何参数的要求（见4.3.2,2009年版的3.3.2.2）；
——修订了错单晶片表面质量的要求（见4.3.3,2009年版的3.3.3）；
——修订了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见第6章,2009年版的第5章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。