ICS 31.260 L 51
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T31358—2015
半导体激光器总规范
General specification for semiconductor lasers
2015-02-04发布
2015-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
发布 GB/T31358—2015
目 次
前言
I
范围 2 规范性引用文件
术语和定义分类 4.1 按波长分类 4.2 按半导体芯片衬底材料分类 4.3按激励方式分类 ·. 4.4 按照输出光模式分类 4.5 按用途分类 4.6 按激光芯片出光方向分类 4.7 按封装方式分类 4.8 按工作方式分类 4.9 按冷却方式分类 4.10 按发光单元排列方式分类 4.11 按功率分类.·. 4.12 按能量分类 5技术要求
3
4.
.......+
I.
+
....
....
5.1 外观质量要求 5.2性能、结构和使用条件要求 5.3环境适应性要求 5.4寿命要求 5.5 安全要求 6测试要求 6.1一般要求 6.2外观检查 6.3性能和结构参数测试 6.4 环境适应性测试 6.5 寿命测试 6.6 安全测试 7 检验规则 7.1 总则 7.2 检验分类 7.3批的组成
:
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....
-+ +.-.:
抽样方案及合格判定 7.5 检验分组
7.4
............. EI
I
10
一 GB/T31358—2015
7.6 型式检验 7.7 逐批检验 7.8 周期检验 ++ 8标志、包装、运输和贮存 8.1 标志 8.2 包装· 8.3 运输和贮存··.
11 11 11 12 12 12 12
+++
...............................
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.-.--.--+--.-E.----.
F+.
--.
II GB/T31358—2015
前言
本标准按照GB/T1.1一 2009给出的规则起草本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国光辐射安全和激光设备标准化技术委员会（SAC/TC284）归口。 本标准起草单位：西安炬光科技有限公司、中国科学院西安光学精密机械研究所、中国科学院半导
：
体研究所、北京国科世纪激光技术有限公司、武汉华工正源光子技术有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人：刘兴胜、赵卫、许国栋、张艳春、杨军红、马晓宇、王警卫、王贞福、谢彦虎、吴迪、 李小宁、史俊红、唐琦、王家赞、张国新、仲莉、石朝辉、张恩、许海明、陈海蓉、王晓燕 GB/T31358—2015
半导体激光器总规范
1范围
本标准规定了半导体激光器的通用要求，包括术语和定义、分类、技术要求、测试要求、检验规则、标志、包装、运输和贮存
本标准适用于半导体激光器的研制、生产和交付等。半导体激光器组件可参考执行。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.3电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验 GB/T2423.5电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.10电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦） GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验） GB2894 安全标志及其使用导则 GB/T6388运输包装收发货标志 GB7247.1激光产品的安全第1部分：设备分类、要求 GB/T7247.13激光产品的安全第13部分：激光产品的分类测量 GB/T10320 激光设备和设施的电气安全 GB/T12339E 防护用内包装材料 GB/T15313 激光术语 GB/T 31359 半导体激光器测试方法
3术语和定义
GB/T15313界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
半导体激光器 semiconductor laser 以半导体材料为激光介质的激光器。
3.2
垂直腔面发射半导体激光器wertical cavity surface emitting laser 出光方向垂直于p-n结平面的半导体激光器。 注：改写GB/T153132008，定义2.4.21。
1 GB/T31358—2015
3.3
边发射半导体激光器edgeemitting semiconductorlaser 出光方向平行于p-n结平面的半导体激光器
3.4
快轴发散角 fast axis divergence angle 01 对于边发射半导体激光器，输出激光在垂直于p-n结平面的最大张角，如图1所示。
n面
p-n结平面
p面
图1快轴发散角和慢轴发散角示意图
3.5
慢轴发散角slow axis divergence angle 0/r 对于边发射半导体激光器，输出激光在平行于P-n结平面的最大张角，如图1所示。
3.6
电光转换效率 electrical-to-optical conversion efficiency p 半导体激光器输出的激光功率与输人的电功率比值，通常以百分数表示。
3.7
值电流 threshold current I th 使激光器内光子增益等于或大于腔内总损耗。从而产生激光的最小驱动电流，单位是A或mA
3.8
占空比dutycycle 半导体激光器在准连续或者脉冲工作模式时。一个工作周期内脉冲宽度占工作周期的百分比。 注：本标准中占空比用脉冲宽度和重复频率的乘积表示。
3.9
峰值波长 peak wavelength Ap 激光辐射光谱中发光强度或辐射功率最大处所对应的波长。单位是nm，如图2所示。 注1：连续谱中峰值波长为光强度或辐射功率最大处所对应的波长。 注2：多波长半导体激光器会有多个峰值波长
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