电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片
1998-05-28 发布
1998-11-01 实施
前言
随着电力半导体模块技术的发展，其产品质量与基片技术性能的关系愈来愈密切。电力半导体模块内部发热量较大，采用高导热率基片,才能有效地降低产品的内部结溫，提高产品的可靠性。氮化铝(ALN)便是一种很有前途的高导热材料，ALN基片具有热导率高(诃达270 W/m • K)、热胀系数与硅相近、电气绝缘性能高、介电常数与介质损耗低、机械性能好、无毒等特点，可广泛应用于电力电子、功率电路、半导体制冷等领域。为适应市场需要和进一步促进ALN基片的生产和应用，特制定本标准。
本标准针对电力半导体模块对高导热率ALN基片的需求特点，規定了 ALN基片的性能、技术指标、检验规则等，对ALN基片几何尺寸，本标准仅规定了目前用于电力半导体模块的几种典型产品。本标准