未来的显示与照明：无机纳米晶电致发光器件·从分子设计到结构优化
作　者： 张晓松，李岚 著
出版时间： 2014
内容简介
　　纳米晶是准零维纳米半导体材料，体现了对电子能带的控制作用。当纳米晶中电子被约束在小范围内，由于尺寸量子效应和介电限域效应的影响，纳米晶显示出独特的荧光特性。《未来的显示与照明：无机纳米晶电致发光器件·从分子设计到结构优化》涉及材料的分子设计、纳米晶材料制备与性能研究、纳米晶电致发光器件制备与性能研究、超材料结构优化发光性能研究等内容。《未来的显示与照明：无机纳米晶电致发光器件·从分子设计到结构优化》采用基于密度泛函理论（DFT）的平面波超软赝势法，对多元纳米晶的能带结构、态密度和光学性质进行计算，实现针对发光性能材料的有效设计；制备了多种纳米晶电致发光器件，实现了对纳米晶电致发光光谱的调控；特别是提出了超材料结构优化方法，在纳米晶电致发光器件中引入三角晶格、四角晶格和六角晶格二维光子晶体结构超材料，实现了对光子能带的控制作用，提高了器件的发光性能；将纳米晶与光子晶体结合，以便实现同时控制电子和光子，为研制高效发光器件提供新的可能。
目录
第1章 绪论
1.1 发光器件在照明领域的应用
1.2 发光器件在显示领域的应用
1.3 纳米晶电致发光器件有望成为发展的方向
参考文献
第2章 ZnS点缺陷的电子结构和光学性质计算与实验验证
2.1 引言
2.2 理论模型与计算方法
2.3 ZnS及其存在本征缺陷时的电子结构分析
2.4 本章小结
参考文献
第3章 Zn1-xCdxsS元混晶的电子结构及光学性质计算与实验验证.
3.1 引言
3.2 实验部分
3.3 结果与讨论
3.4 本章小结
参考文献
第4章 ZnS：Er电子结构和光学性质的第一性原理计算
4.1 引言
4.2 结构与参数设置
4.3 结果与讨论
4.4 本章小结
参考文献
第5章 ZnS纳米晶电致发光器件研究
5.1 光谱可连续调控的ZnS纳米晶电致发光器件研究
5.2 ZnS纳米晶／聚合物复合发光器件研究
5.3 本章小结
参考文献
第6章 基于ZnS／SiO2纳米晶的EL发光器件及宽谱发射
6.1 引言
6.2 材料合成与器件制备
6.3 器件发光性能研究
6.4 本章小结
参考文献
第7章 ZnO纳米晶／SiO2复合器件的可调控电致发光光谱的研究
7.1 引言
7.2 实验
7.3 结果与讨论
7.4 本章小结
参考文献
第8章 全无机ZnO纳米棒／SiO2电致发光器件的研究
8.1 引言
8.2 实验
8.3 结果与讨论
8.4 本章小结
参考文献
第9章 PbS纳米晶电致发光器件研究
9.1 PbS纳米晶制备与光谱调控研究
9.2 基于PbS量子点LED的制备及特性表征
9.3 本章小结
参考文献
第10章 二维光子晶体结构提高纳米晶电致发光效率研究
10.1 三角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响
10.2 四角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响
10.3 六角空气圆孔结构的二维光子晶体对纳米晶电致发光效率影响
10.4 本章小结
参考文献