模拟CMOS集成电路设计
作者：[美]毕查德·拉扎维　译者：陈贵灿 程军 张瑞智 
西安交通大学  
出版日期：2003年2月 

《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校(UCLA)的新教材。该书组织严谨,内容丰富,循序渐进。在阐述原理和概念时,由浅入深,逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时,着重观察和分析,不断地提出问题和解决问题,重视这三方面能力的培养。

第1章 模拟电路设计绪论
1.1 研究模拟电路的重要性
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的一般概念
习题
第2章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念
2.2 MOS的I/V特性
2.3 二级效应
2.4 MOS器件模型
习题
第3章 单级放大器
3.1 基本概念
3.2 共源级
3.3 源跟随器
3.4 共栅级
3.5 共源共栅级
3.6 器件模型的选择
习题
第4章 差动放大器
4.1 单端与差动的工作方式
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