内容：
早期的功率器件是晶闸管（SCR），SCR是一种半控型器件，用它组成的电路简称半控型电路，其基本特点是容量大，但电路结构复杂，开关频率低，功率密度和整机效率不高。GTR的应用，使电力电子电路由半控型转为全控型，并在不同程度上克服了SCR电路存在的缺点，因而在中小功率领域中出现了GTR电路取代 SCR电路的局面。和功率场效应晶体管（Power MO）SFET）相比较，GTR具有导通内阻低和阻断电压高的优点，但其输入特性却远逊士Pow-er MOSFFT。因为GTR是一种电流控制型器件，其开通增益仅为（5～10），这对大功率器件控制电路的制作工艺和电能消耗都是沉重负担。此外，为了减低噪声.现代电源要求器件以超音频工作，但在硬开关环境中，GTR的典型开关频率仅为5kHz，这显然无法满足上述要求;与此相反，MOSFET是一种电压控制型器件，控制功率极低、它同时乂是一种高频器件，完全能在超音频硬开关环境中工作。由此看来，GTR和MOSFET的优缺点具有明显的互补性，因此希望研制一种新型器件，其输人特性和开关频率与MOSFET相似;而输出特性和开关容量则与GTR相似，这种器件就是IGBT，实际上它是一种用MOS门控制的晶体管。实践证明，用MOS门控概念来发展新型器件系列这-一技术路线是行之有效的。 由于IGBT具有GTR和Powcr MC）SFET都无法具备的性能，在短短几年间.IGBT就完全占据了原来GTR 的应用领域并使电力电子电路进入到超音频时代。