前 言
本教材系按原电子工业部制订的《1996年～2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划》，由微电子技术专业教学指导委员会编审、推荐出版。本教材由西安电子科技大学微电子研究所史保华教授任主编，主审为西安交通大学电信学院邵志标教授，责任编委为朱秉升教授。
本教材的参考学时数为45学时。全书共9章，其主要内容为∶概述;可靠性数学基础，可靠性的定量表征，常用概率分布，可靠性框图及数学模型;半导体体内及各界面间可能发生的各种失效的物理过程，如热载流子效应，栅氧击穿，电迁移，静电损伤，CMOS电路的门锁及水汽等的危害;失效模式，失效物理模型，失效分析程序和方法，特别是对常用的微分析技术的原理和特点作了必要的介绍;随后介绍了可靠性设计和内建可靠性;工艺监测与监控;扫样检验;各种可靠性试验及试验结果的统计处理等;其中特别反映了最新的技术进展，如计算机辅助可靠性，统计过程控制技术SPC）及PPM质量管理;最后介绍微电路的使用可靠性，可靠性管理及质量认证等内容。
使用本教材时学生应具备一定的概率论与数理统计基础。本书内容只涉及硅器件，讲授中着重说明了有关的物理概念，涉及的数学知识只是作为一种工具使用。