目 录
前言.....................................1
第一章引言..................................1
§1.1     模拟和集成电路模拟简释.....................1
1.1.1    模拟..........................1
1.1.2    集成电路模拟 ......................1
§1.2    IC工艺和器件模拟简介....................2
1.2.1   IC工艺模拟......................2
1.2.2    IC器件模拟......................4
§1.3    本书的内容安排及特点 ...................5
第二章集成电路的工艺模拟...........................7
§2.1    SUFREM 概述.....................7
§2.2    SUPREME 概述....................8
§2.3    SUPREME的工艺模型..................8
2.3.1    离子注入模型 .....................8
2.3.1.1  简单的对称高斯分布 ...............9
2.3.1.2  两个相联的半高斯分布..............10
2.3.1.3   修改过的 Pearson IV分布......10
2.3.1.4   硅表面有二氧化硅层时对射程的修正........12
2.3.1.5  热退火对注入杂质分布的影响...........12
2.3.2     热加工时杂质迁移模型.................13
2.3.2.1  扩散方程...................13
2.3.2.2  非本征情况下的扩散系数.............15
2.3.2.3  硅中存在其他高浓度杂质时对杂质扩散分布的影响 …17
2.3.2.4  屛的扩散迁移模型................18
2.3.2.5   氧化増强扩散......................20
2.3.2.6   界面流景.....................21
2.3.2.7   产生和损失机构——碑的扩散迁移模型.........23
2.3.3      热氧化模型.........................24
2.3.3.1   Deal-Grove热氧化生长公式 .........24
2.3.3.2   高硅表面摻杂浓度对硅氧化速率的影响.........25
2.3.3.3   増最形式的热氧化生长公式..............26
2.3.4     硅外延模型.........................26
§2.4    SUPREME中几个电參数的计算................27
2.4.1    薄层电阻计算.......................27
2.4.2    MOS阕值电压计算....................28
§2.5    SUPREME的使用和应用例举................30
2.5.1    SUPREM-2 的使用 ................30
2.5.2    SUPREM-2 的应用例举 ..............30
2.5.2.1  SUPREM-2 应用例举一    CMOS P 阱模拟 .30
2.5.2.2  SUPREM-2应用例举二 斯坦福配套元件芯片工艺...35
§2.6      SUFREM-3    ...................... 40
2.6.1    SUPREM-3的离子注入模型 ............ 40
2.6.2    SUPREM-3的热氧化模型...............41
2.6.3    SUPREM-3的杂质扩散模型 .............46
2.6.3.1    SUPREM-3执行的非氧化情况下的杂质扩散模型.......46
2.6.3.2    SUPREM-3执行的级化表面情况下的杂质扩散模型......50
2.6.3.3    SUPREM-3执行的为其他材料的杂质扩散和分凝模型..52
2.6.4    SUPREM-3的硅外延模型 ..............52
2.6.5    多晶硅模型........................55
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