本书重点介绍碑化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路的实用制作 技术.全书共八章，前四章主要叙述神化镓场效应晶体管的设计与制作技 术，后四章分别介绍了正在蓬勃发展中的单片微波集成电路、碑化镓场效应 晶体管在混合微波集成电路中的应用，以及高电子迁移率晶体管和真空微 电子器件. 本书以作者30余年的研究工作实践为依托，所述内容具有较强的实用 性既可以作为大学半导体专业、微电子专业师生的教学参考书，也可供在 相关领域从事科研工作的科技人员参考.
目 录
《微电子学丛书》序
序
第一章绪言...........................（1）
第二章碑化镣微波场效应管设计 ..............（7）
2.1工作原理......................（7）
2.2电学设计..................... （12）
2.3 结构设计.....................（29）
2.4可靠性设计.................... （38）
2.5低噪声 FET ................ （50）
2.6双栅 FET ................. （56）
第三章神化傢材料.......................（66）
3.1材料性质.....................（66）
3.2单晶生长..................... （71）
3.3离子注入.....................（79）
3.4气相外延 .................   （90）
3.5分子束外延....................（95）
3.6化学束外延和其它.................（104）
第四章碑化傢微波场效应管制作工艺............  （112）
4. 1湿法腐蚀...................（112）
4.2图形光刻.................   （121）
4.3欧姆接触形成..................（155）
4.4肖特基势垒形成 ................（186）
4.5钝化......................（194）
4.6干法腐蚀...................（220）
4.7空气桥和通路孔 ................（242）
4.8装架......................（252）
4.9质量控制....................（256）
4.10测试.......................（259）
4.11内匹配....................  （277）
第五章碑化镣微波单片集成电路...............……-（299）
5.1概述........................（299）
5.2设计考虑 ...................   （303）
5.3集总元件....................   （311）
5.4偏置电路.......................（330）
5.5单片电路制作工艺...................（333）
5.6微波探针测试系统................... （339）
5.7侦片修正.......................（345）
5.8放大器........................（347）
5.9振荡器，..................... （356）
5.10混频器和倍频器.....................  （364）
5.11移相器....................  （370）
5.12微波开关和衰减器....................  （378）
5.13单片机......................（385）
5.14毫米波单片申路..................（387）
第六章管芯和单片為装........................（394）
6.1微波封装特点 .......................（395）
6.2设计考虑.......................（396）
6.3管壳参数设计....................（405）
6.4管壳制造工艺....................（409）
第七章 神化镣微波混合集成电路...........……......（416）
7.1引言........................（416）
7.2直流偏置...................    （418）
7.3FET非线性分析 ...............   （421）
7.4微波设计...........................（427）
7.5放大器.........................（444）
7.6其它电路 ......................（452）
7.7管壳封装模块...................   （458）
7.8模块 ......................（461）
7.9T/R 组件.....................（468）
第八章高电子迁移率场效应管和真空场效应管................（476）
8.1二维电子气 ..........     （476）
8.2材料结构演进...............（479）
8.3工艺技术要点...............（485）
8.4毫米波器件和电路举例 ..........（491）
8.5传导沟道参数.............. （498）
8.6真空场效应管简述..............（512）