应用研究
LDO稳压器的EFT/B敏感度研究
黄彦李建咸
(国防科学技术大学电子科学与工程学院湖南长沙410073)
与用
摘要低压差(LDO)稳压器作为电源模块的核心部分,它的瞬态脉冲干抗响应对整个系统的敏感度性能起着决定性作用。本文介绍了一种LDO稳压器传导EFT脉冲干抚的测试系统和方法,采用异步辟态脉冲注入的方式将典型的传导电快速障变脉冲群(EFT)揭合到被测芯片(DUT)的单个引脚,通过监测DUT的输入输出变化得到其对应失效类型。并对两款工业LDO稳压器芯片遗行了传导EFT干扰测试得到了LDO稳压器的EFT敏感度。此方法在测试幅度、测试结果的一致性和可重复性方面有了较好的提升。
关键词：低压差稳压器电快速呼变脉冲群敏感度测试一致性
中图分类号：TN03
文献标识码:A
文章编号:1007-9416(2015)09-0044-04
Abstract:As a cnicial part of the power supply, the lowdropout(LDO) regulator's response to transient interfierence is decisive to the system's immunity characteristics. This paper describes a measurement method to evaluate the LDO's susceptibility to conducted Electrical Fast Transient/burst (EFT/B), using
onous transient injection method to couple the signals into individual pin of the device under test (DUT) and obtaining its fil model by monitoring
nonsynchro
the input/output. Test results of two different types of LDO have verified, by contrast, this method extended the test amplitude of EFT/B and improved the consistency and reproducibility of EFT/B immunity measurement.
Key Words:Lowdropout regulator; Electrical fast transient; immunity measurement, consistency
1引言
进行集成电路级(IC级)的EMC研究，可从源头提高电子设备的电磁兼容EMC性能，从面大大缩短研发周期，节约人力和物力。而 LDO稳压器作为电源的核心部件，其电磁兼容性能影响着整个IC系统。在文献[2[3]中通过片上传感器对LDO在连续波干扰下的EMC性能做了深人分析，并建立了仿真模型。瞬态脉冲包络在逻辑电路中会被认为是一系列有效比特，而单个脉冲又会触发对边沿敏感的门电路，在模拟电路中可能被敏感的放大器测到而形成脉冲调制的载波干扰4。文献[5[6]7[8J9]介绍了对电子仪表与微处理器的EFT/B
0us
750us
300ms
5ns
50ns
图1电快速瞬变脉冲群波形图
850mA
216mA 7.5A
10pF 2.2pF InE
EFT voltage supply 5/50ns
Current measurement
at200mQ shunt a
图20.2Q扇出器测试波形
收移日期：2015-08-18
抗扰度进行了测试，所使用的测试和研究方法在一定程度上能表征 DUT的瞬态抗扰度性能。但这些方法存在空载校准与加载测量波形失真，测试结果可重复性不理想和测试脉冲幅度限值较低的问题。本文对LDO的EFT/B敏感度进行了研究，通过异步解态脉冲注入的方式，将典型的EFT/B干扰脉冲注人到LDO的单个引脚，测量了芯片各个引脚的EFT/B抗扰度。测试脉冲接近工业应用中脉冲的指标，不同芯片的测试结果具有较好的一致性和重复性。这将有助于 IC级EFT测试方法的完善，促进集成电路瞬态脉冲抗扰度测试标准
Z500
瞬态脉冲信号发生器
耦合网络
EMC测试PCB板
图3典型的引脚注入测试模型
脉冲注入探针
GND连接平面可拆卸探针
Ic
连接EFT发生器：500 Fisher插座
图4P250脉冲注入探头
VDDO
2.2K
INPUT
0.1uF
10nH
C2 0.1uF
图5VDD非测试条件配置
C1 10uFT
作者简介：黄彦(1991一),男,湖南长沙人,项士,学生,研究方向为集成电路的电磁兼容；李建成(1971一),男,湖南长沙人,教,颈士生导
师，研究方向为专用集成电路设计与系统应用，