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总第254期 2017年第2期
河北冶金 HEBEIMETALLURGY
等温处理温度对
取向纯铁奥氏体比例的影响
崔毅，荣皙”，张云飞，董廷亮
Total No.254 2017,Number2
（1.河钢集团钢研总院，河北石家庄050023;2.中国钢研科技集团有限公司连铸技术国家工程研究中心，北京100081)
摘要：通过金相组织观察、图片分析软件统计平均值、多项式回归方法，在实验室条件下用半定量法研究 00000060 C为完全奥氏体化温度，奥氏体比例量现“双峰值"规律。为了确保在冷却过程中奥氏体比例比较稳
定，认为取向纯铁常化工艺的理想温度区间应为850~900℃。关键词：等温处理温度；取向纯铁；奥氏体比例；影响
中图分类号：TG142.31
文献标识码：A
doi;10. 13630/j. cnki. 13 1172. 2017.0205
文章编号：10065008(2017)02002506
INFLUENCEOFISOTHERMALTREATMIENTTEMPERATURE ONAUSTENITEPROPORTIONINORIENTATIONPUREIRON
Cui Yi', Rong Zhe", Zhang Yunfei', Dong Tingliang
(1. Hesteel Group Central Iron and Steel Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, 050023 ; 2. National En-gineering and Technique Research Center for Continuous Casting, China Iron and Steel Research Science and Technology Group Co., Ltd., Beijing, 100081)
Abstract: By means of metallographic structure observation, counting average value with picture analysis software, polynomial regression method, the evolution law of austenite proportion in orientation pure iron under different temperatures is researched in lab. with semi quantitative method, that is, under 850 to 900 C, the proportion presenting as peak value, and under 1 050 to 1 100 C, the full austenite transforming temperature, the proportion as " double peak value", It is considered the ideal temperature range for normali-zing process of orientation pure iron should be 850 to 900 °C to ensure the austenite proportion being steady in cooling
Key Words: isothermal treatment temperature; orientation pure iron; austenite proportion; influence
引言
随着城市基础设施建设的推进以及先进电子仪
器在各行各业的应用，以核磁共振扫描、高端计算机、电子显微镜、城市轨道电车等为代表的设备与装备正以前所未有的频率出现在我们的生活中，使我们的生活和工作发生了积极的改变。然而，这些设备与装备所产生的磁场、磁噪声也对人们的身体健康造成负面影响，因此解决磁场屏蔽，尤其是直流高
收稿日期：2016-12-13
作者简介：崔毅（1988-），男，工程师，硕士，2013年毕业于东北大学材料加工工程专业，现在河钢集团钢研总院从事新材料研发工作，
E mail; cuiyi@ hbisco, com 万方数据
强磁场的屏蔽是我们必须要面对的问题。直流磁场屏蔽对材料的要求简单概括为“三高一低”，即高磁导率、高磁通密度、高饱和磁感应强度以及低矫顽力，目前应用比较多的材料主要有电工纯铁、坡莫合金以及取向硅钢等。
取向纯铁又称(110)[001]取向低碳低硅电工钢，具有较高取向度的高斯织构，并且硅含量极低，成品磁导率、磁感应强度等性能指标优异，尤其是在 800A/m以上高强磁场下的磁通密度更是高达2.0 T以上，是一种非常理想的直流高强磁场屏蔽材料。日本于上世纪90年代成功开发出这类软磁合金后申请专利，并采取严格的技术封锁，将其应用于磁屏
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