ICS 27.120
GB CCS F 88
中华人民共和国国家标准
GB/T 40291—2021/IEC 61435:2013
核仪器仪表 辐射探测器用高纯度锗晶体基本特性的测量方法
Nuclear instrumentation—High-purity germanium crystals for radiation detectors—Measurement methods of basic characteristics
(IEC61435:2013,IDT)
2021-05-21发布2021-12-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/'T 40291—2021/IEC 61435:2013
核仪器仪表 辐射探测器用高纯度锗晶体基本特性的测量方法
1 范围
本文件描述了测量高纯锗晶体基本特征的术语和试验方法。包括电活性杂质净浓度（NA一Np）、深能级杂质中心浓度和晶体学特性。
本文件适用于γ射线和 X射线辐射探测器用高纯锗晶体。此锗单晶的电活性杂质中心的净浓度小于10 cm-3，通常是101°cm-3量级。
本文件中所列测试方法并非法定方法，但在工业中得到了广泛的应用，并为探测器制造商提供了可验证的信息，满足了制造商的需求。
在GB/T 7167—2008和 GB/T11685—2003中给出了完整的组装锗探测器的试验方法。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 2900.66—2004 电工术语 半导体器件和集成电路（IEC 60050-521∶2002，IDT）
GB/T 2900.97—2016 电工术语 核仪器;物理现象、基本概念、仪器、系统、设备和探测器(IEC 60050-395:2014,IDT)1)
3 术语、定义和符号
3.1 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.1.1
半导体 semiconductor
两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料。这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。
注∶术语半导体一般适用于载流子是电子或空穴的材料。【来源∶GB/T 2900.66—2004，521-02-01】3.1.2
高纯半导体探测器 high purity semiconductor detector 采用高纯度（如高电阻率）半导体材料的半导体探测器。【来源∶GB/T 2900.97—2016，395-03-48】3.1.3
霍尔效应 Hall effect
在导体和半导体中产生的与电流密度和磁感应强度矢量积成正比的电场强度。
1）国际标准原文的 IEC 60050-393;2003和 IEC 60050-394;2007已被IEC 60050-395;2014代替。