GB/T 36646-2018
制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
2019-01-01 实施
2018-09-17发布
本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
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本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。