GB/T 14844-2018 代替GB/T 14844—1993
半导体材料牌号表示方法
Designations of semiconductor materials
2019-11-01实施
2018-12-28发布
前 言
本标准按照 GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T14844—193《半导体材料牌号表示方法》，与GB/T14844—1993相比主要技术变化如下∶
——修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，1993年版的第1章）;
——将原3.1.1中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生产方法为第二项（见3.1.1，1993年版的3.1）;
——删除了多晶生产方法中的"铸造法"，增加了"T表示三氯氢硅法"、"S表示硅烷法"、"F流化床法"和"其他生产方法表示形式参照以上方法进行"（见3.1.3，1993年版的3.1.1）;
——修改了"N表示块状"为"C表示块状"，并增加了"G表示颗粒状"和"其他多晶形状表示形式参照以上方法进行"（见3.1.4，1993年版的3.1.3）;
——增加了"E 表示电子级用途"和"S表示太阳能级用途"（见3.1.6）;
——调整了单晶牌号表示方法排序（见3.2.1，1993年版的3.2）;
——增加了示例"如硅单晶Si、砷化像单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化钢单晶InSb、磷化嫁单晶 GaP和磷化锢单晶InP等"（见3.2.2）;
——增加了"C表示铸锭法"（见3.2.3）;
——增加了导电类型示例"例如N型导电类型掺杂元素有磷P、锑Sb、砷As，P型导电类型掺杂元素有硼 B，区熔气相掺杂用 FGD表示等"（见3.2.4）;
——增加了示例"例如晶向（111）、<100>和<110>等"（见3.2.5）;
——增加了示例"如硅片 Si、砷化锌片GaAs、碳化硅片 SiC、锗片Ge、锑化锢片InSb、磷化家片GaP 和磷化锢片InP等"（见3.3.2）;
——增加了"SCW 表示太阳能切割片"（见3.3.4）;
——调整了外延片牌号表示方法排序（见3.4.1，1993年版的3.4）;
——增加了示例"如硅外延片Si、砷化稼外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化锢外延片InSb、磷化家外延片GaP和磷化锢外延片InP等"（见3.4.2）;—增加了牌号中字母表示方法（见附录A）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。