GB/T 26068-2018 代替GB/T26068—2010
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots——Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
2019-11-01实施
2018-12-28发布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T26068—2010《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》。本标准与GB/T26068—2010相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下∶
——将标准名称《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》改为《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》;
——增加了使用微波反射光电导衰减法测试单晶硅锭和铸造多晶硅片、硅锭载流子复合寿命的内容（见第1章、9.2）;
将范围中测试样品的室温电阻率下限由"0.05 Q·cm～1Q·cm"改为"0.05 Q·cm～10 Ω·cm"，载流子复合寿命的测试范围由"0.25μs到>1ms"改为">0.1μs"，删除了2010年版的
1.3（见第1章，2010年版的1.2、1.3）;
——规范性引用文件中增加了GB/T1551.删除了GB/T1552、SEMIMF1388、SEMI MF1530，删除了GB/T1553——2009、YS/T679—2008中的年代号，增加了GB/T 11446.1的年代号2013 （见第2章，2010年版的第2章）;
——修改了术语注入水平、复合寿命、表面复合速率、体复合寿命和1/e寿命的定义（见第3章，2010年版的第3章）;
——将2010年版1/e寿命定义的部分内容调整到干扰因素5.16.1/e寿命定义的注调整为干扰因素5.13（见5.10、5.17.2010年版的3.6）;
——增加了"载流子的扩散长度小于硅片厚度的0.1倍时，可以考虑不处理样品表面，直接检测"，表面处理方法增加了"表面持续电晕充电"（见5.1）;
——增加了推荐的测试温度以及湿度、小信号条件、载流子陷阱或耗尽区、测试点距边缘距离对测试结果的影响（见5.5、5.6、5.9、5.18、5.20）;
——增加了"如果硅片厚度小于150 μm，宜使用非金属硅片支架托"（见6.5）;
——修改水的要求为"满足GB/T11446.1—2013中EW-Ⅲ级或更优级别要求（见7.1.2010年版的7.2);
——明确了碘、无水乙醇、氢氟酸、硝酸的纯度级别（见7.2、7.3、7.4、7.5）;
——删除了关于取样的内容（见 2010年版的8.1）;
——样品制备增加了"需要通过机械研磨和化学机械抛光或只通过化学抛光去除样品表面的残留损伤后"（见8.2）;
——明确了硅片氧化处理的具体操作方式【见8.2a），2010年版8.4.1】;一样品制备中增加了"硅片表面持续电晕充电"的表面处理方法【见8.2c）】;
——和脉冲光斑大小"（见9.1.3，9.1.5）;根据试验情况修订了精密度（见第10章，2010年版第11 章）;
—增加了资料性附录E，并将2010年贩83部分调整为附录E的E3（见附录E.2010年版的83）。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。